刘传洋
【姓名】 刘传洋
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 低温,界面态,低剂量率,辐照效应,阈值电压漂移,金属-氧化物-半导体器件,辐照,剂量率,电压漂移,感生,氧化物陷阱电荷,总剂量,子学,界面态密度,西安,微电,陷阱电荷,阈值,西安电子科技大学,辐照时间,
【工作单位】 西安电子科技大学
【曾工作单位】 西安电子科技大学;
【所在地域】 陕西西安
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[2]张廷庆,刘传洋,刘家璐,王剑屏,黄智,徐娜军,何宝平,彭宏论,姚育娟.低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应[J]物理学报.2001,(12)
[3]刘家璐,李煜,刘传洋,刘泽,宋李梅,张廷庆.InSb红外探测器衬底应力的模拟与分析[J]西安电子科技大学学报.2001,(03)
[4]刘传洋,张廷庆,刘家璐,王剑屏,黄智,徐娜军,何宝平,彭宏论,姚育娟,王宝成.低剂量率下MOS器件的辐照效应[J]微电子学.2002,(01)
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[1]刘传洋.BF_2～+注入硅栅Si/SiO_2系统低剂量率辐照效应的研究[D].西安电子科技大学.2002
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