张军
【姓名】 张军
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 极低剩余反射率,超辐射发光管,干法刻蚀,光致发光谱,宽带增透膜,应变多量子阱,放大自发辐射,应变量子阱,损伤深度,损伤,超辐射,发光管,应变单量子阱,覆盖层,多量子阱结构,表面粗糙度,应变量子阱结构,...
【工作单位】 武汉邮电科学研究院
【曾工作单位】 武汉邮电科学研究院;
【所在地域】 湖北武汉
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中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]曹萌;吴惠桢;劳燕锋;黄占超;刘成;张军;江山;.ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤[J]半导体学报.2006,(01)
[2]曹萌;吴惠桢;刘成;劳燕锋;黄占超;谢正生;张军;江山;.干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究[J]物理学报.2007,(02)
[3]常进,张军,王定理,刘应军,甘毅,李林松,黄晓东,刘涛,邬江帆.超辐射发光管端面AR膜的设计与制备[J]光学仪器.2004,(02)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]杨新民;张哲民;周宁;王定理;张军;.全MOCVD生长InGaAsP/InP DCPBH-LD的制作技术及器件特性[A].全国第十次光纤通信暨第十一届集成光学学术会议（OFCIO’2001）论文集.2001-10-01
[2]常进;张军;王定理;刘应军;甘毅;李林松;黄晓东;刘涛;邬江帆;.超辐射发光管端面AR膜的设计与制备[A].2004年光学仪器研讨会论文集.2004-06-30
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