胡新文
【姓名】 胡新文
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 缺陷,InP半导体,正电子湮没,正电子寿命,γ辐照,电荷态,多普勒展宽,正电子,平均寿命,谱仪,导电类型,原子,正电子寿命谱,载流子浓度,正电子捕获,半绝缘,空位型缺陷,寿命,辐照,正电子湮没率分布,...
【工作单位】 武汉大学
【曾工作单位】 武汉大学;
【所在地域】
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[1]马莉,李世清,陈志权,胡新文,鄢和平.γ辐照InP的正电子湮没研究[J]武汉大学学报(自然科学版).1996,(01)
[2]陈志权,胡新文,王少阶.用正电子湮没方法鉴别InP半导体中的缺陷[J]半导体学报.1998,(03)
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