武利翻
【姓名】 武利翻
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;企业经济;
【研究方向】 微电子与固体电子通讯地址
【发表文献关键词】 离子注入,关键工艺,光刻胶,图像传感器,SiO2层,电荷藕合器件,栅介质层,硅集成电路,工艺线,电荷,势阱,水汽氧化,氧化层,基本工作原理,界面陷阱电荷,光刻工艺,湿氧氧化,掩模板,涂胶,发展状况,多...
【工作单位】 重庆邮电学院
【曾工作单位】 重庆邮电学院;
【所在地域】 重庆
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[1]汪建平;武利翻;熊平;.红外焦平面阵列的CMO S读出电路结构评述[J]传感器与微系统.2006,(01)
[2]敖永春,武利翻.政府行为推动企业技术创新的探讨[J]机电产品开发与创新.2005,(05)
[3]武利翻.CCD制造的关键工艺[J]传感器世界.2005,(02)
[4]武利翻.CCD制造的关键工艺[J]光电技术应用.2005,(01)
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