伍水平
【姓名】 伍水平
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;无线电电子学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 ZAO薄膜,氧分压强,直流磁控溅射,电阻率,透过率,基底温度,衬底温度,载流子浓度,平均透光率,择优取向,纤锌矿结构,晶粒尺寸,基片温度,透明导电膜,表面形貌,薄膜电阻,晶格畸变,取向性,详细研究,晶...
【工作单位】 中南大学
【曾工作单位】 中南大学;
【所在地域】 湖南长沙
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[1]余志明;伍水平;魏秋平;牛仕超;彭传才;李京增;魏敏;.基底温度和氧分压对直流磁控溅射制备的ZnO∶Al薄膜性能的影响[J]真空.2006,(06)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]伍水平;余志明;彭传才;方梅;陈爽;.磁控溅射法制备氧化钒薄膜的相组成研究[A].中国真空学会2006年学术会议论文摘要集.2006-10-01
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