李洪涛
【姓名】 李洪涛
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 快中子辐照,直拉硅,辐照缺陷,空位型缺陷,受主,FTIR,主态,载流子迁移率,热处理,吸收峰,电阻率,氧原子,受主态,双氧,导电类型,载流子浓度,辐照剂量,正电子湮没寿命谱,缺陷态,受主中心,载流子类...
【工作单位】 中国原子能科学研究院
【曾工作单位】 中国原子能科学研究院;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到3篇
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[2]李养贤,杨帅,陈贵峰,马巧云,牛萍娟,陈东风,李洪涛,王宝义.快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究[J]物理学报.2005,(04)
[3]杨帅,李养贤,马巧云,徐学文,牛萍娟,李永章,牛胜利,李洪涛.FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO_2[J]物理学报.2005,(05)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
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[2]李兴华;李养贤;陈贵锋;刘丽丽;蔡莉莉;杨帅;李洪涛;.快中子辐照直拉硅的退火机制[A].第十四届全国分子光谱学术会议论文集.2006-07-01
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