高秀清
【姓名】 高秀清
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;核科学技术;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 吸除,本征,剥层,中子嬗变掺杂,纵向浓度分布测定,刻蚀,掩模,压敏器,区熔,直拉硅单晶,CZ硅,Si单晶,中子活化分析,退火曲线,辐照,刻蚀速率,火行为,单晶硅,探测器级,堆中子,卡宾碳,NTD硅,掺...
【工作单位】 中国原子能科学研究院
【曾工作单位】 中国原子能科学研究院;
【所在地域】 北京
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[1]郑辙,郭延军,冯有利,高翔,高秀清.中子辐照金刚石生成卡宾碳[J]新型炭材料.2003,(02)
[2]高秀清,陈炳贤.绿柱石宝石辐照优化处理技术[J]矿物岩石地球化学通报.1997,(S1)
[3]文希孟,高秀清,陈炳贤,王计川.掩模、刻蚀剥层-堆中子活化分析法测定硅片中金的纵向分布[J]核化学与放射化学.1985,(02)
[4]高秀清,文希孟,陈炳贤,王计川.优质吸除硅片本征吸除能力的研究[J]核技术.1985,(06)
[5]陈炳贤,高秀清,高集金,李石岭.压敏器件用直拉硅单晶的中子嬗变掺杂工艺[J]中国核科技报告.1989,(00)
[6]陈炳贤,高秀清.压敏器件用直拉硅单晶的中子嬗变掺杂工艺[J]中国核科技报告.1990,(S4)
[7]陈燕生,李秋生,王丛华,陈炳贤,高秀清.区熔工艺和中照条件对NTD FZ(H)-Si单晶退火行为的影响[J]稀有金属.1990,(01)
[8]陈炳贤,高集金,高秀清,董鹤琴,李石岭.探测器级特高阻区熔硅单晶的高精度微量中子嬗变掺杂[J]中国核科技报告.1993,(00)
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