我的机构馆
退出
数字图书馆首页
CNKI首页
浏览器下载
帮助
高秀清
【姓名】
高秀清
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;核科学技术;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
吸除,本征,剥层,中子嬗变掺杂,纵向浓度分布测定,刻蚀,掩模,压敏器,区熔,直拉硅单晶,CZ硅,Si单晶,中子活化分析,退火曲线,辐照,刻蚀速率,火行为,单晶硅,探测器级,堆中子,卡宾碳,NTD硅,掺...
【工作单位】
中国原子能科学研究院
【曾工作单位】
中国原子能科学研究院;
【所在地域】
北京
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
0
/
8
0
1
2
9
572
文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到8篇
[1]郑辙,郭延军,冯有利,高翔,高秀清.
中子辐照金刚石生成卡宾碳
[J]新型炭材料.2003,(02)
[2]高秀清,陈炳贤.
绿柱石宝石辐照优化处理技术
[J]矿物岩石地球化学通报.1997,(S1)
[3]文希孟,高秀清,陈炳贤,王计川.
掩模、刻蚀剥层-堆中子活化分析法测定硅片中金的纵向分布
[J]核化学与放射化学.1985,(02)
[4]高秀清,文希孟,陈炳贤,王计川.
优质吸除硅片本征吸除能力的研究
[J]核技术.1985,(06)
[5]陈炳贤,高秀清,高集金,李石岭.
压敏器件用直拉硅单晶的中子嬗变掺杂工艺
[J]中国核科技报告.1989,(00)
[6]陈炳贤,高秀清.
压敏器件用直拉硅单晶的中子嬗变掺杂工艺
[J]中国核科技报告.1990,(S4)
[7]陈燕生,李秋生,王丛华,陈炳贤,高秀清.
区熔工艺和中照条件对NTD FZ(H)-Si单晶退火行为的影响
[J]稀有金属.1990,(01)
[8]陈炳贤,高集金,高秀清,董鹤琴,李石岭.
探测器级特高阻区熔硅单晶的高精度微量中子嬗变掺杂
[J]中国核科技报告.1993,(00)
更多
研究方向相近的学者
(学者,学者单位)
王剑锋
安徽医科大学第一附属医院
胡才雄
上海有色金属研究所
吕春鸿
上海有色金属研究所
张树清
上海有色金属研究所
汤文国
四川大学
蔡仲麟
上海有色金属研究所
沈火根
上海有色金属研究所
刘晋
四川大学
陈炳贤
中国原子能科学研究院
王计川
中国原子能科学研究院
更多
合作过的学者
(学者,学者单位,篇数)
郭延军
北京大学
1
冯有利
北京大学
1
郑辙
北京大学
1
高翔
北京大学
1
李石岭
中国原子能科学研究院
2
董鹤琴
中国原子能科学研究院
1
高集金
中国原子能科学研究院
2
陈炳贤
中国原子能科学研究院
6
文希孟
中国原子能科学研究院
2
王计川
中国原子能科学研究院
2
陈燕生
北京科技大学
1
李秋生
北京科技大学
1
更多
该学者文献引用过的学者
(学者,学者单位,篇数)
高翔
北京大学
3
郑辙
北京大学
3
王正元
中国科学院半导体研究所
3
林兰英
中国科学院半导体研究所
3
更多