王永晨
【姓名】 王永晨
【职称】 教授;研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 化合物半导体材料
【发表文献关键词】 光荧光谱(PL),二次离子质谱(SIMS),无杂质空位诱导无序,多量子阱结构,无杂质空位诱导(IFVD),多量子阱(MQWS),无杂质空位扩散,带隙蓝移,光荧光谱,量子阱,电介质膜,无杂质空位诱导无序...
【工作单位】 天津师范大学
【曾工作单位】 天津师范大学;
【所在地域】 天津
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[1]王永晨,杨格丹,赵杰,李彦,刘明成.SiOP介质膜及其对InGaAsP/InP量子阱激光结构混合无序的影响[J]天津师范大学学报(自然科学版).2003,(04)
[2]王永晨,杨格丹,赵杰,车经国,张淑云.PECVD沉积SiOP电介质膜及其XPS研究[J]光电子·激光.2004,(11)
[3]王永晨,赵杰.量子阱混合(QWI)及其在光子集成电路(PIC’s)中的应用[J]固体电子学研究与进展.2004,(04)
[4]杨格丹,王永晨,赵杰,车经国,张淑云.一种增强量子阱混合的新技术[J]光子技术.2004,(03)
[5]陈杰;王永晨;赵杰;韩德俊;.磷离子注入诱导InGaAsP/InP双量子阱混合的研究[J]光子技术.2005,(04)
[6]刘明成,刘福润,鲁光元,赵杰,王永晨.离子注入半绝缘GaAs电激活效率与电激活均匀性的研究[J]半导体杂志.2000,(03)
[7]王永晨,赵杰,范懿,武丽.InGaAs/InP量子阱材料生长后置无序技术的研究[J]天津师大学报(自然科学版).2000,(01)
[8]鲁光沅,刘福润,刘明成,赵杰,王永晨.Si~+/As~+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究[J]天津师大学报(自然科学版).2000,(03)
[9]张晓丹,王永晨,赵杰,陈景莉,冯哲川.Si_3N_4无杂质空位诱导InGaAs/InP量子阱结构带隙的蓝移[J]半导体光电.2001,(03)
[10]张晓丹,赵杰,王永晨.无杂质空位诱导InGaAs/InP量子阱结构的光荧光研究[J]天津师范大学学报(自然科学版).2001,(03)
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承担国家科研项目    共找到1个
[1]王永晨;.新的无杂质诱导inGaAsP-InP多量子阱混合互扩的研究[A].天津师范大学;.项目经费 22万元.2002-03-31.资助文献数 6
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