吴振辉
【姓名】 吴振辉
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;无线电电子学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 分子束外延,喷射炉,粘附系数,底表面,到达率,分子束,外延,外延层,再蒸发,衬底温度,蒸气压,外延淀积,GaAs,化学计量比,喷射口,化合物,平均逗留时间,光波导,分子束流,残留气体,
【工作单位】 中山大学
【曾工作单位】 中山大学;
【所在地域】
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[1]吴振辉,黄炳忠.分子束外延[J]物理.1980,(05)
[2]余秉才,吴振辉.用C—V法测量Si—SiO_2系统的产生寿命和表面产生速度[J]中山大学学报(自然科学版).1981,(01)
[3]吴振辉,梁本镜,余秉才,黄炳忠.利用振动电容法测量SiO_2薄膜的电荷分布[J]中山大学学报(自然科学版).1983,(02)
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