石志仪
【姓名】 石志仪
【职称】 副教授;
【研究领域】 无线电电子学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 抗弯强度,氧含量,直拉硅,CZ硅,机械强度,硅单晶,位错,强度分布,区熔单晶,氮气氛,力学行为,区熔,三点弯,硅中氧,氧原子,直拉单晶,单品,屈服行为,直拉硅单晶,抗形变,变翘曲,弯曲度,单晶,高温工...
【工作单位】 中南工业大学
【曾工作单位】 中南工业大学;
【所在地域】 湖南长沙
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[1]谢书银，石志仪，余思明.硅片的抗弯强度及其与高温抗形变能力的关系[J]中南工业大学学报.1995,(02)
[2]谢书银，石志仪.硅片抗弯强度测试方法中小挠度问题研究[J]中南工业大学学报.1996,(02)
[3]谢书银,石志仪,陈中祥.高温工艺中硅片的翘曲[J]半导体技术.1997,(05)
[4]谢书银,石志仪,陈忠祥,张维连.硅片高温翘曲与常温机械强度[J]半导体学报.1997,(09)
[5]谢书银,石志仪,李冀东,董萍.热处理对硅片抗弯强度的影响[J]中国有色金属学报.1997,(01)
[6]谢书银,石志仪.氧含量对硅片机械强度的影响[J]稀有金属.1987,(03)
[7]石志仪,谢书银.氮气氛下直拉硅棒的机械强度分布[J]稀有金属.1993,(01)
[8]石志仪,谢书银,佘思明,李立本,张锦心.含氮CZ硅力学行为研究[J]半导体学报.1993,(03)
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