施锦行
【姓名】 施锦行
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;无机化工;
【研究方向】 半导体材料的研究
【发表文献关键词】 氮化铝,热导率,氧杂质,氮化物,半导,氮化物半导体,陶瓷材料,晶体生长,扩展电阻探针,教师,扩展电阻,人工智能器件,四端器件,热导,中南工业大学,硅电阻率,校中,校风,人才成长,纳米陶瓷,教师伦理,学...
【工作单位】 中南工业大学
【曾工作单位】 中南工业大学;
【所在地域】 长沙
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[1]施锦行.CZ硅单晶中原生缺陷的特性[J]半导体技术.1999,(03)
[2]施锦行.GaN上的欧姆接触[J]半导体情报.1999,(05)
[3]施锦行.氮化铝的室温热导率[J]中国陶瓷.1995,(05)
[4]施锦行.氮化物半导体的制备及其应用[J]半导体技术.1996,(03)
[5]李冀东，施锦行，佘思明.扩展电阻探针在硅材料研究上的应用[J]半导体技术.1996,(06)
[6]赵凡湘，廖梅，梅炽，施锦行.师德、正气与育人[J]有色金属高教研究.1996,(03)
[7]施锦行.21世纪的硅器件及其新工艺[J]半导体技术.1997,(02)
[8]施锦行.纳米陶瓷的制备及其特性[J]中国陶瓷.1997,(03)
[9]施锦行.大直径CZ硅单晶的控氧技术[J]半导体技术.1998,(06)
[10]施锦行.GaN中杂质和缺陷的特性[J]半导体情报.1998,(01)
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