原小杰
【姓名】 原小杰
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 抗反射膜,PECVD,氮化硅,氮化硅膜,悬挂键,光传感器,减反射膜,硅太阳电池,折射率,太阳电池,内条形,锁相列阵,自旋密度,等离子体增强,短路电流增益,硅PN结,PECVD技术,淀积条件,淀积温度,...
【工作单位】 天津大学
【曾工作单位】 天津大学;
【所在地域】 天津
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[1]原小杰,毛干如,王者福.PECVD氮化硅膜氢键及硅悬挂键的研究[J]固体电子学研究与进展.1987,(04)
[2]原小杰,毛干如,郭维廉.PECVD氮化硅抗反射膜的研究[J]太阳能学报.1987,(03)
[3]原小杰.光-光传感器[J]传感器技术.1988,(05)
[4]毛赣如,原小杰.等离子体增强CVD氮化硅作硅太阳电池的减反射膜[J]太阳能学报.1988,(03)
[5]原小杰,毛干如,郭维廉.PECVD技术淀积硅pn结太阳电池的双层抗反射膜[J]半导体技术.1989,(04)
[6]张世林,梁惠来,原小杰,杨德林.梯形凸台衬底内条形半导体激光锁相列阵[J]半导体学报.1992,(02)
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