陈伊轫
【姓名】 陈伊轫
【职称】
【研究领域】 核科学技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 辐照损伤,轻离子辐照,肿胀,包壳材料,EGS4和TRIM程序,离位,阈能,超导体,电子空穴对,CMOS器件,γ射线,实验快堆,辐照,质子辐照,快中子辐照,等效剂量,零电阻温度,库伯对,γ射线辐照,快中...
【工作单位】 中国原子能科学研究院
【曾工作单位】 中国原子能科学研究院;
【所在地域】 北京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/3 2 0 1 2 421
中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]郁金南,杨文,郁刚,陈伊轫,许淑艳.CMOS器件p、γ、β辐照损伤等效剂量分析计算[J]核科学与工程.2000,(02)
[2]赵新杰，郁金南，王玉珠，陈伊轫，张崇海.质子和γ射线辐照对Bi-系超导体零电阻温度的影响[J]核科学与工程.1997,(03)
[3]陈伊轫,郁金南,杨启法.实验快堆发展计划中包壳材料轻离子辐照损伤探讨[J]原子能科学技术.1991,(05)
更多