王春亮
【姓名】 王春亮
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 吸杂,量的关系,提高率,漏电流,载流子寿命,硅单晶,寿命,弛豫,离子注,单晶片,有源区,MOS电容,天津大学,栅氧化,工程系,退火条件,离子轰击硅,反型电容,吸杂剂,吸杂技术,
【工作单位】 天津大学
【曾工作单位】 天津大学;
【所在地域】
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[1]潘姬,齐建华,赵鸿麟,汪一沙,王春亮.Ar~+注入吸杂效应与剂量的关系[J]半导体学报.1985,(03)
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