任殿胜
【姓名】 任殿胜
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;化学;物理学;
【研究方向】 半导体材料的表面研究工作Email
【发表文献关键词】 XPS,结构,组成,交流阳极氧化,氧化铝多孔膜,直流阳极氧化,CaAs,砷化镓,表面,表面钝化,S钝化,表面分析,砷化镓晶片表面,XPS研究,铝阳极氧化,Na_2,半导,表面氧化,GaAs,表面分析技...
【工作单位】 天津大学
【曾工作单位】 天津大学;
【所在地域】 天津
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[1]任殿胜,王为,李雨辰,严如岳.砷化镓半导体表面自然氧化层的X射线光电子能谱分析[J]分析化学.2003,(10)
[2]任殿胜,郝建民,马农农,严如岳,王为.现代表面分析技术在半导体材料中的应用[J]现代仪器.2003,(03)
[3]任殿胜,王为,李雨辰,严如岳.GaAs(100)表面氧化的XPS研究[J]化学物理学报.2004,(01)
[4]王为,任殿胜,郭鹤桐,高俊丽.交、直流铝阳极氧化多孔膜的组成及结构比较[J]天津大学学报.2000,(04)
[5]任殿胜,李雨辰,严如岳,王为.用XPS研究Na_2S钝化的GaAs(100)表面[J]现代仪器.2001,(03)
[6]任殿胜,王为,李雨辰,严如岳.砷化镓晶片表面的XPS研究[J]液晶与显示.2002,(04)
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