毛干如
【姓名】 毛干如
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 抗反射膜,PECVD,氮化硅,硅压阻式压力传感器,氮化硅膜,悬挂键,太阳电池,PECVD技术,折射率,多晶,pn结,短路电流增益,自旋密度,硅PN结,氮氧化硅,淀积条件,淀积温度,衬底温度,氢键,退火...
【工作单位】 天津大学
【曾工作单位】 天津大学;
【所在地域】
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[1]原小杰,毛干如,王者福.PECVD氮化硅膜氢键及硅悬挂键的研究[J]固体电子学研究与进展.1987,(04)
[2]原小杰,毛干如,郭维廉.PECVD氮化硅抗反射膜的研究[J]太阳能学报.1987,(03)
[3]毛干如,朱秀文,谢页飞,石争.多晶硅压阻式压力传感器[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
[4]原小杰,毛干如,郭维廉.PECVD技术淀积硅pn结太阳电池的双层抗反射膜[J]半导体技术.1989,(04)
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