席光兰
【姓名】 席光兰
【职称】
【研究领域】 金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 渗硅,渗层厚度,横截,扫描电子,背散射,Ti5Si3,反应扩散,复合渗层,TiAl基合金,抗氧化性能,室温塑性,渗硅层,太原理工大学,层厚度,工程学院,材料科学,加热时间,氧化性能,渗剂,山西,
【工作单位】 太原理工大学
【曾工作单位】 太原理工大学;
【所在地域】 山西太原
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[1]马晓霞,席光兰,梁伟,赵兴国.渗硅时间对渗层厚度的影响[J]电子显微学报.2003,(06)
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[1]马晓霞;席光兰;梁伟;赵兴国;.渗硅时间对渗层厚度的影响[A].第三届全国扫描电子显微学会议论文集.2003-11-01
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