徐冬良
【姓名】 徐冬良
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;材料科学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 雾缺陷,氧化雾,微缺陷,硅片,趋势,规范,标准,直拉硅单晶,氧化时间,金属杂质,缺陷密度,检测条件,蚀象,热氧化,体层,层错,金属杂质沾污,深腐蚀,晶体,预处理法,硅单晶,单晶,半导,氧化气氛,腐蚀深...
【工作单位】 四川省峨眉半导体材料研究所
【曾工作单位】 四川省峨眉半导体材料研究所;
【所在地域】 四川峨嵋
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[1]徐冬良,郭如芳,李吉海,谭玉华,余斌,燕朝林.硅片上的金属杂质沾污与氧化雾缺陷[J]稀有金属.1984,(05)
[2]徐冬良,郭如芳.直拉硅单晶中微缺陷的检测条件[J]稀有金属.1985,(02)
[3]余思明;周福生;徐冬良;张烈华;.重掺Sb硅单晶中氧沉淀的研究[J]中南矿冶学院学报.1989,(04)
[4]徐冬良,吴道荣,过惠芬.预处理法消除晶体中氧化雾缺陷[J]稀有金属.1990,(02)
[5]徐冬良.硅材料的目前状况及发展趋势——1992年6月赴美考察情况报告[J]半导体技术.1993,(06)
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