汪鼎国
【姓名】 汪鼎国
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaSb单晶,位错,石英舟,布里兹曼法,热场,单晶,籽晶,位错密度,位错坑,锑化铟单晶,单晶炉,无位错,晶体生长,熔体,缩颈,GaSb,晶锭,固液界面,细颈,纵向温度梯度,温区,去膜,单晶生长,观察孔...
【工作单位】 四川省峨眉半导体材料研究所
【曾工作单位】 四川省峨眉半导体材料研究所;
【所在地域】 峨眉山
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[1]汪鼎国.水平舟生长GaSb单晶的研制[J]四川有色金属.1994,(02)
[2]汪鼎国.用水平布里兹曼法生长GaSb单晶[J]稀有金属.1995,(01)
[3]汪鼎国.低位错锑化铟单晶的研制[J]稀有金属.1984,(02)
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