张松宝
【姓名】 张松宝
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;核科学技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 Ge纳米晶,阈值剂量,单束双能离子注入,非晶态,光致发光,晶粒尺寸,弧光放电,非晶层,SiO_2薄膜,离子注入,纳米晶,缺陷发光,高剂量离子注入,X射线衍射,发光机制,物理机理,荧光峰,物理机制,深度...
【工作单位】 四川大学
【曾工作单位】 四川大学;
【所在地域】 成都
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[1]胡强,卢铁城,敦少博,张松宝,唐彬,代君龙,朱莎,王鲁闽.高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理[J]半导体学报.2005,(08)
[2]敦少博,卢铁城,胡强,于晓林,胡又文,曾颖秋,张松宝,唐彬,代君龙.嵌入SiO_2薄膜中的GeO和Ge纳米晶光致发光的研究[J]四川大学学报(自然科学版).2005,(02)
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[1]张松宝.热中子层析照相技术研究[D].四川大学.2007
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