吴应前
【姓名】 吴应前
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 比接触电阻,隧道结,MIS结构,高频C—V测量,比电阻,杂质分布,准静态法,冠醚,金属-绝缘层-半导体结构,欧姆接触,杂质浓度,界面陷阱密度,泊松方程,表面势,数值计算法,修正公式,除钠,场发射理论,...
【工作单位】 四川大学
【曾工作单位】 四川大学;
【所在地域】 成都
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[1]吴应前.P~+-n~+隧道结的比接触电阻[J]固体电子学研究与进展.1991,(01)
[2]吴应前.高低结比电阻的修正公式[J]固体电子学研究与进展.1991,(04)
[3]吴应前.MIS结构中Ψ_s—V_G关系的测定[J]四川大学学报(自然科学版).1991,(04)
[4]吴应前.金属-绝缘层-半导体结构泊松方程的数值解法[J]应用科学学报.1991,(04)
[5]吴应前.磁电阻率效应的起因[J]大学物理.1991,(03)
[6]吴应前.冠醚除钠的局限性[J]半导体技术.1993,(02)
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