廖勇明
【姓名】 廖勇明
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 6H碳化硅,6H-SiC,肖特基二极管,宽禁带半导体,MOS电容,γ辐照,多晶硅薄膜,欧姆接触,费米能级钉扎,MEMS,6H-Si,肖特基,反恢复时间,二极管特性,辐照特性,C界面,VF～TRR兼容性...
【工作单位】 四川大学
【曾工作单位】 四川大学;
【所在地域】 北京成都
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[1]廖勇明,杨仕钟,陈振,游志朴.掺钯硅快恢复二极管V_F～T_(RR)兼容性研究[J]四川大学学报(自然科学版).2003,(01)
[2]廖勇明,董立军,韩敬东,陈大鹏,叶甜春.用SiH_2Cl_2沉积MEMS中的多晶硅薄膜研究[J]电子工业专用设备.2005,(01)
[3]廖伟,罗小蓉,廖勇明,洪根深,龚敏.SiO_2/6H-SiC界面的物理性质及其辐照特性的研究[J]四川大学学报(自然科学版).2001,(S1)
[4]罗小蓉,廖伟,廖勇明,洪根深,龚敏.p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究[J]四川大学学报(自然科学版).2001,(S1)
[5]洪根深,廖勇明,廖伟,丁元力,邬瑞彬,刘洪军,龚敏.通过改变费米能级钉扎效应制备6H-SiC欧姆接触的特性研究[J]四川大学学报(自然科学版).2002,(03)
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