郑瑞生
【姓名】 郑瑞生
【职称】 教授;
【研究领域】 化学;物理学;自动化技术;
【研究方向】 化合物半导体材料生长、元激发物理及光电器件的研究工作
【发表文献关键词】 光子晶体,带隙,准分形,分形,物理气相传输,理想导体,氮化铝,单晶,坩埚盖,氮化铝晶体,类分形,滤波器,横磁波,横电波,使用寿命,二维光子晶体,生长工艺,分形特征,氮化铝单晶,碳化钨保护层,预处理技术...
【工作单位】 深圳大学
【曾工作单位】 深圳大学;
【所在地域】 深圳
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中国期刊全文数据库    共找到24篇
[1]覃佐燕;庄志贤;武红磊;郑瑞生;王科;.AlN晶体PVT生长装置的智能控制系统研究[J]人工晶体学报.2018,(04)
[2]陈冉;郑瑞生;庄志贤;武红磊;.DNS欺骗在嵌入式Web服务器的应用[J]计算机工程与设计.2017,(07)
[3]徐百胜;闫征;武红磊;郑瑞生;.Na:O共掺杂AlN晶体的第一性原理研究[J]硅酸盐学报.2015,(01)
[4]闫征;郑瑞生;武红磊;.Li-O共掺杂AlN晶体的第一性原理研究[J]人工晶体学报.2014,(10)
[5]武红磊;郑瑞生;李萌萌;闫征;郑伟;徐百胜;.升华法生长氮化铝晶体的热场分析[J]人工晶体学报.2013,(11)
[6]武红磊;郑瑞生;李萌萌;闫征;.升华法制备m面非极性AlN单晶体的研究[J]人工晶体学报.2012,(06)
[7]武红磊;郑瑞生;闫征;李萌萌;郑伟;.温度场分布对氮化铝晶体生长习性的影响[J]深圳大学学报(理工版).2012,(06)
[8]武红磊;郑瑞生;李萌萌;闫征;郑伟;.碳硅共掺杂p型AlN的光电性能研究[J]发光学报.2013,(09)
[9]闫征;武红磊;郑瑞生;.碳硅共掺杂AlN晶体的电子结构分析[J]硅酸盐通报.2013,(08)
[10]武红磊;郑瑞生;孟姝;黄俊毅;.碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率研究[J]深圳大学学报(理工版).2011,(02)
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中国重要会议全文数据库    共找到4篇
[1]武红磊;郑瑞生;.纳米到厘米尺寸氮化铝晶体材料的制备研究[A].第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集.2015-08-11
[2]武红磊;郑瑞生;孟姝;.高温气相法生长AlN晶体中保温材料的研究[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[3]郑伟;武红磊;李发帝;郑瑞生;.氮化铝单晶的偏振Raman光谱研究[A].第十七届全国光散射学术会议摘要文集.2013-10-19
[4]武红磊;郑瑞生;孙秀明;.坩埚形状对氮化铝晶体生长的影响[A].第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集.2006-11-01
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]郑瑞生;.氮化铝单晶材料的生长及其光电特性的研究[A].深圳大学;.项目经费 7万元.2005-03-31.资助文献数 0 篇
[2]郑瑞生;.多元氮化物外延薄膜材料中组分不均匀结构的研究和应用[A].深圳大学;.项目经费 25万元.2003-03-31.资助文献数 2 篇
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