郑胜男
【姓名】 郑胜男
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;核科学技术;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 Al_2O_3薄膜,背散射谱,背散射分析,背散射,惰性气,Rutherford,离子注入,释放特性,深度分布,组分比,单晶硅,14MeV中子,非晶层,合金,超导材料,技术测定,退火温度,活化分析,射程...
【工作单位】 中国科学院原子能研究所
【曾工作单位】 中国科学院原子能研究所;
【所在地域】 北京
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[1]张士琛,刘三中,郑胜男,赵玉华,徐永昌.14MeV中子活化分析测定重晶石中的钡[J]核技术.1982,(04)
[2]刘三中,张士琛,熊朝智,郑胜男,赵玉华,徐永昌.14MeV中子活化分析测定岩矿中的铈[J]核技术.1982,(04)
[3]郑胜男,毛一仙,刘三中,于云洲,张士琛,徐永昌.14MeV中子活化分析测定离子交换树脂中的磷和硅[J]核技术.1982,(04)
[4]郑胜男,赵玉华,许国基,徐永昌,王大椿,朱光华,卢殿通,卢志恒.用背散射方法分析硅中注入砷的深度分布[J]核技术.1982,(04)
[5]王大椿,朱光华,吴瑜光,郑胜男,赵玉华.用背散射技术测定超导材料Nb-Al和Nb-As样品的组分比及其深度分布[J]核技术.1982,(04)
[6]赵玉华,郑胜男,许国基,徐永昌,夏日源,谭春雨,刘清前.用背散射测定惰性气体在合金和单晶硅中的迁移和释放特性[J]核技术.1982,(04)
[7]赵玉华,郑胜男,许国基,徐永昌,夏日源,谭春雨,李金华,张永恩,刘清前.用~(75)As~+和~(132)Xe~+离子注入Al_2O_3薄膜的Rutherford背散射分析[J]核技术.1982,(04)
[8]许国基,赵玉华,郑胜男,徐永昌.用背散射技术分析核靶的污染[J]核技术.1983,(02)
[9]王大椿;朱光华;卢殿通;卢志恒;郑胜男;赵玉华;.用背散射方法研究砷离子注入单晶硅的分布和热退火后的再分布[J]北京师范大学学报(自然科学版).1983,(02)
[10]谭春雨;夏日源;刘清前;刘吉田;王承瑞;赵玉华;郑胜男;许国基;徐永昌;.Ar和Xe在Al(Cr)薄层中的扩散和释放[J]真空科学与技术.1983,(05)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]王豫生;阎建华;郑胜男;殷士端;张敬平;顾诠;代爱平;谢宝珍;刘士杰;.沟道背散射技术在半导体材料分析中的应用[A].第五次核物理会议资料汇编(上册).1982-11-01
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