张国强
【姓名】 张国强
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 超薄栅氧化层,击穿特性,CMOS运算放大器,MOS器件,损伤分析,氟,运放电路,金属-氧化物-半导体场效应晶体管,抗击穿特性,辐射效应,热载流子,栅介质,栅氧化层,击穿,金属-氧化物-硅结构,运算放大...
【工作单位】 中国科学院新疆理化技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院新疆理化技术研究所;
【所在地域】 乌鲁木齐
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中国期刊全文数据库    共找到4篇
[1]余学峰;张国强;艾尔肯;郭旗;陆妩;任迪远;.Si/SiO_2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布[J]核电子学与探测技术.2006,(03)
[2]余学峰;艾尔肯;任迪远;张国强;陆妩;郭旗;.MOSFET的热载流子损伤及其退火[J]固体电子学研究与进展.2006,(04)
[3]任迪远,陆妩,余学锋,郭旗,张国强,胡浴红,王明刚,赵文魁.不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性[J]半导体学报.2003,(07)
[4]余学峰,任迪远,艾尔肯,张国强,陆妩,郭旗.MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性[J]半导体学报.2005,(10)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]张国强;陆妩;余学锋;郭旗;任迪远;严荣良;.含N薄栅介质的电离辐照及退火特性[A].1998电子产品防护技术研讨会论文集.1998-04-01
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