学者知网节

中国期刊全文数据库 共找到93篇

[1]郑齐文;崔江维;魏莹;余学峰;陆妩;任迪远;郭旗;.Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs[J]Chinese Physics Letters.2018,(04)

[2]汪波;文林;李豫东;郭旗;汪朝敏;王帆;任迪远;曾骏哲;武大猷;.质子、中子、~(60)Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响[J]红外与激光工程.2015,(S1)

[3]周航;郑齐文;崔江维;余学峰;郭旗;任迪远;余德昭;苏丹丹;.总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应[J]物理学报.2016,(09)

[4]文林;李豫东;郭旗;任迪远;汪波;玛丽娅;.质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析[J]物理学报.2015,(02)

[5]汪波;李豫东;郭旗;刘昌举;文林;任迪远;曾骏哲;玛丽娅;.质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究[J]物理学报.2015,(08)

[7]文林;李豫东;郭旗;孙静;任迪远;崔江维;汪波;玛丽娅;.电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应[J]微电子学.2015,(04)

[8]郑齐文;崔江维;周航;余德昭;余学峰;陆妩;郭旗;任迪远;.Analysis of functional failure mode of commercial deep sub-micron SRAM induced by total dose irradiation[J]Chinese Physics B.2015,(10)

[9]文林;李豫东;郭旗;孙静;任迪远;崔江维;汪波;玛丽娅;.深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应[J]微电子学.2015,(05)

[10]崔江维;郑齐文;余学峰;丛忠超;周航;郭旗;文林;魏莹;任迪远;.Hot-carrier effects on irradiated deep submicron NMOSFET[J]Journal of Semiconductors.2014,(07)

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中国重要会议全文数据库 共找到30篇

[1]文林;李豫东;郭旗;任迪远;汪波;玛丽娅;.质子辐照导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析[A].第十七届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集.2014-08-13

[2]汪波;李豫东;郭旗;刘昌举;任迪远;文林;玛丽娅;曾骏哲;王海娇;.γ射线辐照CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应研究[A].第十七届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集.2014-08-13

[3]王义元;陆妩;任迪远;高博;席善斌;许发月;.线性稳压器不同偏置下电离总剂量及剂量率效应[A].第六届(2010年)北京核学会核技术应用学术交流会论文集.2010-10-17

[4]陆妩;任迪远;郑玉展;王义元;郭旗;余学峰;何承发;.NPN双极晶体管的ELDRS效应及退火行为[A].2009第十三届全国可靠性物理学术讨论会论文集.2009-10-19

[5]王义元;陆妩;任迪远;郑玉展;高博;李鹏伟;于跃;.10位双极数模转换器的电离辐射效应[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[6]高博;余学峰;任迪远;王义元;李鹏伟;于跃;李茂顺;崔江维;.SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应研究[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[7]王改丽;余学峰;任迪远;郑玉展;孙静;文林;高博;李茂顺;崔江维;.CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[8]李鹏伟;郭旗;任迪远;于跃;王义元;高博;.CCD器件总剂量辐射损伤的剂量率效应[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[9]郑玉展;陆妩;任迪远;王义元;郭旗;余学锋;何承发;.不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[10]陆妩;任迪远;郑玉展;郭旗;余学峰;.双极运算放大器ELDRS效应的变温加速辐照方法研究[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

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【姓名】	任迪远
【职称】	研究员;
【研究领域】	无线电电子学;核科学技术;电力工业;
【研究方向】	半导体辐射物理领域的研究工作
【发表文献关键词】	辐射损伤,低剂量率,加速评估,双极运算放大器,时间相关性,运算放大器,结型场效应管,界面态,辐照损伤,总剂量辐照,辐照剂量,退火特性,金属氧化物半导体场效应功率管,氧化物陷阱电荷,辐射响应,响应特性,...
【工作单位】	中国科学院新疆理化技术研究所
【曾工作单位】	中国科学院新疆理化技术研究所;
【所在地域】	新疆乌鲁木齐

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