蔡仲麟
【姓名】 蔡仲麟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;无机化工;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅外延片,吸除,表面缺陷,外延片,电阻率,电性能,氧沉淀,吸除技术,电阻率分布,少子产生寿命,外延层,硅层,硅单晶,产生寿命,本征,吸除工艺,多晶硅,硅衬底,多晶,微缺陷,
【工作单位】 上海有色金属研究所
【曾工作单位】 上海有色金属研究所;
【所在地域】
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[1]蔡仲麟;.HP—1型高压单晶炉和LEC法InP单晶的生长[J]上海有色金属.1978,(04)
[2]曹国琛，胡才雄，蔡仲麟，吕春鸿，沈火根，张树清，金胜祖.综合吸除对硅外延片（N／N~＋）性能的影响[J]上海有色金属.1994,(06)
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