高义华
【姓名】 高义华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 纳米SiC,微结构分析,注入层,C离子,纳米,固相外延,硅衬底,石墨相,高温退火,晶粒,蓝光发射,HREM,损伤层,注入剂量,吸收峰,半导,氮气中退,XTEM,图版,声子,
【工作单位】 中国科学院物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院物理研究所;
【所在地域】 北京
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[1]李宁生,鲍希茂,廖良生,吴晓华,高义华,张泽.硅基纳米SiC的制备及其微结构分析[J]半导体学报.1997,(10)
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