丁爱菊
【姓名】 丁爱菊
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 瞬态退火,卢瑟福背散射,离子注入,沟道,GaAs/Si,晶体完整性,GaAs,离子注,GaAs膜,背散射,声子,再结晶层,再结晶,产额,晶体质量,缺陷密度,完全再结晶,外延膜,无序区,背散射谱,
【工作单位】 中国科学院物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院物理研究所;
【所在地域】 北京
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[1]邹进;都安彦;冯国光;丁爱菊;侯宏启;黄琦;周均铭;.GaAs/Si外延层的TEM研究[J]电子显微学报.1988,(03)
[2]肖光明,殷士端,张敬平,范缇文,刘家瑞,丁爱菊,周均铭,朱沛然.离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究[J]半导体学报.1990,(11)
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[1]邹进;都安彦;冯国光;丁爱菊;侯宏启;黄琦;周均铭;.GaAs/Si外延层的TEM研究[A].第五次全国电子显微学会议论文摘要集.1988-10-01
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