赵玲莉
【姓名】 赵玲莉
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 激发,LPCVD,能隙态模型,T型栅,X射线光刻,PHEMT,x射线光刻,快速退火(RTA),氮化硅薄膜,光致发光,同步辐射,硅薄膜,硅镶嵌微结构,x射线,GaAs器件,SiNx膜,光刻技术,深亚微米...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]刘渝珍,石万全,赵玲莉,孙宝银,叶甜春.RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响[J]发光学报.2003,(01)
[2]刘渝珍,石万全,韩一琴,刘世祥,赵玲莉,孙宝银,叶甜春,陈梦真.LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射[J]半导体学报.2000,(05)
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