薛丽君
【姓名】 薛丽君
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电信技术;
【研究方向】 新一代化合物半导
【发表文献关键词】 二维电子气,AlGaN/GaN异质结,异质结,微光刻图形,数据格式转换,挖空多边形,图形切割,极化,亚阈值泄漏电流,H型栅,pMOSFET,直角三角形,半背沟,热载流子,可靠性,2DEG,极化行为,A...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]薛丽君;夏洋;刘明;王燕;邵雪;鲁净;马杰;谢常青;余志平;.AlGaN/GaN HEMT二维静态模型与模拟(英文)[J]半导体学报.2006,(02)
[2]张春海;薛丽君;张尔扬;.基于自适应多门限算法的变换域窄带干扰抑制[J]电子与信息学报.2006,(03)
[3]李诚瞻;刘键;刘新宇;薛丽君;陈晓娟;和致经;.AlN插入层与AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的关系[J]半导体学报.2006,(06)
[4]李金儒;陈宝钦;汤跃科;薛丽君;.CIF格式挖空多边形切割为PG3600格式矩形的算法[J]微细加工技术.2006,(02)
[5]吴峻峰;毕津顺;李多力;薛丽君;海潮和;.采用半背沟注入提高PDSOI nMOSFETs的热载流子可靠性(英文)[J]功能材料与器件学报.2006,(05)
[6]吴峻峰;李多力;毕津顺;薛丽君;海潮和;.边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响(英文)[J]电子器件.2006,(04)
[7]薛丽君;刘明;王燕;禡龙;鲁净;谢常青;夏洋;.偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析[J]固体电子学研究与进展.2007,(02)
[8]薛丽君,刘明,王燕,夏洋,陈宝钦.AlGaN/GaN异质结极化行为与二维电子气[J]半导体技术.2004,(07)
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