刘倜
【姓名】 刘倜
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 与常规CMOS工艺兼容的低电压Flash器件及工艺
【发表文献关键词】 Flashmemory,漏电流,电子势垒,F化隧穿氧化层,预处理,FlashMemory,势垒高度,热生长,反应离子刻蚀,隧穿电流,嵌入式,工作电压,CF_4,薄栅,低功率,SiO2,样片,CF4,降...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]刘倜,欧文.CF_4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究[J]半导体学报.2005,(07)
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