陈震
【姓名】 陈震
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 化合物半导体材料
【发表文献关键词】 平面掺杂,赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT),双平面掺杂,双选择腐蚀栅槽,离子耦合,PHEMT,PHEMT器件,线性度,背面通孔,干法刻蚀,基区,电荷控制模型,击穿电压,异质结,GaAs,双极晶体管...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]陈震,郑英奎,刘新宇,和致经,吴德馨.双平面掺杂和单平面掺杂 PHEMT器件的性能比较(英文)[J]半导体学报.2004,(03)
[2]陈震,刘新宇,吴德馨.双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型[J]半导体学报.2004,(07)
[3]陈震,魏珂,王润梅,刘新宇,刘训春,吴德馨.GaAs背面通孔刻蚀技术研究[J]功能材料与器件学报.2004,(02)
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