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陈晓娟
【姓名】
陈晓娟
【职称】
副研究员;
【研究领域】
无线电电子学;电力工业;物理学;
【研究方向】
化合物半导体器件与电路的研究
【发表文献关键词】
AlGaN/GaN,HEMT,HEMTs,微波功率,截止频率,功率器件,AlGaN/GaN HEMT,微波输出功率,Si3N4,钝化层,等离子增强,热阻,功率密度,AlGaN,中国科学院,SiO2,M...
【工作单位】
中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】
中国科学院微电子研究所;
【所在地域】
北京
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
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文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到46篇
[1]陈晓娟;张一川;袁静;高润华;殷海波;李艳奎;刘新宇;魏珂;.
低压应用的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件研制
[J]微电子学.2023,(05)
[2]罗卫军;陈晓娟;袁婷婷;庞磊;刘新宇;.
AlGaN/GaN Based Diodes for Liquid Sensing
[J]Chinese Physics Letters.2013,(03)
[3]袁静;景冠军;王建超;汪柳;高润华;张一川;姚毅旭;魏珂;李艳奎;陈晓娟;.
具有低噪声及高线性度的高性能MOCVD-SiN_x/AlN/GaN毫米波MIS-HEMTs(英文)
[J]红外与毫米波学报.2024,(02)
[4]陈晓娟;张昇;张一川;李艳奎;高润华;刘新宇;魏珂;.
应用于宽带的AlGaN/GaN MIS-HEMT高效率器件(英文)
[J]红外与毫米波学报.2023,(03)
[5]陈晓娟;张一川;张昇;李艳奎;牛洁斌;黄森;马晓华;张进成;魏珂;.
带有原位生长SiN_x绝缘层的AlN/GaN毫米波高效率MIS-HEMT器件(英文)
[J]红外与毫米波学报.2023,(04)
[6]徐鼎;陈晓娟;胡俊;袁婷婷;.
9~15 GHz GaAs MMIC宽带高效率功率放大器
[J]电子设计工程.2021,(01)
[7]刘芷诫;郑英奎;康玄武;孙跃;吴昊;陈晓娟;魏珂;.
AlGaN/GaN非凹槽混合阳极SBD射频性能及建模
[J]半导体技术.2021,(05)
[8]胡俊;陈晓娟;.
基于GaAs工艺的超宽带混合集成功率放大器
[J]微电子学与计算机.2018,(12)
[9]胡俊;赵华;陈晓娟;.
一种30 MHz~3 GHz宽带高增益功率放大器
[J]微电子学.2019,(01)
[10]陆宇;陈晓娟;钱可伟;.
30~2600MHz超宽带GaN功率放大器的设计与实现
[J]半导体技术.2015,(12)
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中国重要会议全文数据库
共找到3篇
[1]陈高鹏;吴旦昱;陈晓娟;刘新宇;李滨;.
Ku波段脉冲功率放大器稳定性和效率研究
[A].第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[2]袁婷婷;陈晓娟;陈中子;陈高鹏;李滨;刘新宇;.
Ku波段开关固态功放模块的研制
[A].第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[3]陈中子;陈晓娟;姚小江;袁婷婷;刘新宇;李滨;.
4~12 GHz三级宽带功率放大器
[A].第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
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承担国家科研项目及科技成果产出
承担国家科研项目
共找到1个
[1]郝跃;武锦;张玉明;陈晓娟;汤晓燕.
超高频化合物数模混合电路研究
[A].西安电子科技大学;中国科学院微电子研究所.项目经费 212.48万元.2009-03-31.资助文献数
0
篇
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(学者,学者单位)
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1
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(学者,学者单位,篇数)
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郑有炓
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1
陈敦军
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1
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西安电子科技大学
2
张进城
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