朱荣锦
【姓名】 朱荣锦
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 CMOS逻辑电路,高速CMOS,短沟道,液氮温区,逻辑电路,迁移率,特性比较,CMOS器件,负载能力,功耗,冶金研究,CMOS,沟道,VLSI,杂质散射,低功耗,双极型,最高频率,Data,亚阈特性,...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
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[1]何晓阳，朱荣锦，许康.短沟道CMOS器件在液氮温区的特性比较与分析[J]半导体技术.1994,(02)
[2]徐元森,许康,刘远华,朱荣锦,周炘祥,钱学俭,游守湘.先进CMOS逻辑电路74AC系列[J]科学通报.1986,(17)
[3]许康,朱荣锦,徐元森.2微米先进CMOS逻辑电路74AC系列特性研究[J]微电子学与计算机.1989,(06)
[4]许康,刘远华,朱荣锦,周炘祥,郑养鉥,徐元森.新型高速CMOS逻辑电路系列74AC之研究[J]应用科学学报.1990,(01)
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