周永泉
【姓名】 周永泉
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 双栅,硅离子,MESFET,掺铬,GaAs,半绝缘砷化镓,离子注入,载流子浓度,冶金研究,包封退火,有源层,离子注,电激活,光致发光谱,注入条件,注入层,钝化保护,半绝缘,负阻振荡,工作物质,单晶,栅...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/2 0 0 0 7 42
中国期刊全文数据库    共找到2篇
[1]王渭源,乔墉,林成鲁,罗潮渭,周永泉.掺铬半绝缘砷化镓材料的硅离子注入[J]物理学报.1982,(01)
[2]王渭源,卢建国,乔墉,周永泉,夏冠群,邵永富,杨新民,陈自姚,罗潮渭,詹千宝,王文骐.硅全离子注入的GaAs双栅MESFET[J]应用科学学报.1983,(04)
更多