杨全魁
【姓名】 杨全魁
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 异质外延错向角,InGaP/InGaAs,向角,外延层,GaN,RF Plasma MBE,LNA,Si掺杂,x射线衍射,PL谱,单电源,测量方法,异质外延,PHEMT,衍射圆锥,精确测量,X射线,M...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]刘训春,陈俊,王润梅,王惟林,李无瑕,李爱珍,陈建新,陈意桥,陈晓杰,杨全魁.单电源低电压InGaP/InGaAs PHEMT低噪声单片放大器[J]功能材料与器件学报.2000,(03)
[2]李伟,赵智彪,郑燕兰,李存才,杨全魁,胡建,齐鸣,李爱珍.RF Plasma MBE生长GaN材料及特性研究[J]功能材料与器件学报.1999,(03)
[3]杨全魁,李爱珍,陈建新.异质外延错向角的X射线精确测量方法[J]功能材料与器件学报.1998,(03)
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中国博士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]杨全魁.InGaAs/InAlAs量子级联激光器物理、材料及器件[D].中国科学院上海冶金研究所.2000
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