杨传铮
【姓名】 杨传铮
【职称】
【研究领域】 金属学及金属工艺;物理学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅单晶,汽相,外延层,合金,强度法,厚度测量,K值法,永磁合金,GaAs,复相,异质,X射线衍射,X射线,长程有序度,组分,定量分析,衍射强度,外标法,点阵参数,位错,单晶,O相,衍射峰,重量分数,单...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]钟福民;杨传铮;李润身;.以增量相为消除剂的X射线定量相分析方法[J]理化检验.物理分册.1984,(02)
[2]杨传铮;黄绍泉;王乃粒;何富香;苏英慰;.高温长期暴露后TA8钛合金的脆化机理[J]金属学报.1978,(01)
[3]杨传铮,姜小龙,许顺生.硅蹼中位错和层错的X射线貌相研究[J]物理学报.1980,(03)
[4]许顺生,杨传铮,徐景阳,姜小龙.晶体缺陷的X射线貌相术观察和分析[J]物理.1980,(05)
[5]杨传铮,姜小龙.立方晶系固溶体组分测量的X射线双衍射线法[J]金属学报.1981,(02)
[6]杨传铮;许顺生;.无位错硅单晶生长中几种现象的X射线貌相术观察[J]上海金属.有色分册.1981,(04)
[7]斯崇奎,黄兆斌,杨传铮.汽相硅单晶生长[J]半导体技术.1982,(06)
[8]杨传铮,朱建生.含氢气氛下区熔硅单晶中缺陷的研究[J]物理学报.1982,(03)
[9]许顺生,杨传铮,姜小龙.硅单晶中孪生界面的结构和缺陷[J]半导体学报.1982,(04)
[10]陈明琪,杨传铮,王广福.硅(111)晶片外延时图形微畸变的研究[J]半导体学报.1982,(04)
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