徐涌泉
【姓名】 徐涌泉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 热场,位错,InP单晶,InP晶体,无位错,单晶,液封法,磷化,多晶料,砷化镓单晶,细颈,无位错单晶,晶体生长,后热器,磷化铟单晶,保温套,孪晶,位错密度,孪晶现象,孪生,载流子浓度,补偿比,电学性质...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/8 0 0 1 15 380
中国期刊全文数据库    共找到8篇
[1]徐涌泉;方敦辅;谭礼同;.电中性掺杂生长低位错密度InP单晶[J]稀有金属.1989,(02)
[2]方敦辅;徐涌泉;杨金华;谭礼同;史日华;.重掺 n 型砷化镓杂质效应[J]上海冶金.1980,(02)
[3]王德宁,杨金华,缪仲熙,徐涌泉,蒋大卫,水海龙.液封法制备低位错及无位错砷化镓单晶[J]稀有金属.1981,(02)
[4]王祥熙,徐涌泉,杨金华,方敦辅.无孪生磷化铟晶体生长[J]稀有金属.1981,(03)
[5]王祥熙,徐涌泉,杨金华,方敦辅.无孪生磷化铟晶体生长(简报)[J]半导体光电.1981,(02)
[6]方敦辅,王祥熙,徐涌泉,缪涵英,牟盘健.掺硫低位错磷化铟单晶生长和性质[J]应用科学学报.1983,(03)
[7]方敦辅,徐涌泉,谭礼同.大直径〈100〉InP单晶生长[J]稀有金属.1989,(01)
[8]方敦辅,徐涌泉,相德(钅久),谭礼同.LEC-InP晶体中的孪晶现象[J]稀有金属.1990,(05)
更多