武蕴忠
【姓名】 武蕴忠
【职称】
【研究领域】 自动化技术;无线电电子学;仪器仪表工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅化物,金属硅化物,SOS膜,比接触电阻,半导体接触,金属-半导体接触,二硅化物,铜电阻,温度传感器,测定金,金属薄膜,硅原子,铂薄膜温度传感器,TCR,探针,物理问题,结晶质量,金属原子,电阻,圆点...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
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[1]武蕴忠;.俄歇电子能谱仪及其应用[J]理化检验通讯(物理分册).1978,(03)
[2]武蕴忠;.俄歇电子能谱仪及其应用[J]理化检验.物理分册.1978,(03)
[3]武蕴忠，丁青，徐梅芳，王渭源.铂薄膜中氧和碳的行为[J]金属学报.1994,(14)
[4]武蕴忠.钨中的电迁移现象[J]金属学报.1980,(03)
[5]武蕴忠,孙承龙.金属薄膜的电迁移激活能[J]金属学报.1981,(06)
[6]武蕴忠.集成电路中的物理问题讲座 第三讲 金属硅化物的形成[J]物理.1985,(06)
[7]武蕴忠,孙承龙.测定金属-半导体接触电阻的一种方法[J]应用科学学报.1985,(02)
[8]陈庆贵,史日华,蔡希介,武蕴忠,孙成龙,潘尧令.一种提高SOS膜结晶质量的新途径[J]应用科学学报.1985,(03)
[9]武蕴忠,孙承龙,徐梅芳.薄膜铜电阻温度传感器[J]传感器技术.1987,(Z1)
[10]武蕴忠,孙承龙,徐梅芳,褚卫兵,王渭源.金属薄膜温度传感器的设计[J]传感技术学报.1989,(04)
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