吴剑萍
【姓名】 吴剑萍
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 阈值电压,GaAs IC,背栅效应,MESFET,阈值电压均匀性,背栅,PSPICE模拟,均匀性,金属-肖特基势垒场效应晶体管,噪声容限,挖槽,GaAs,砷化镓,计算机模拟分析,不同工艺,工艺制备,...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/3 3 2 1 3 102
中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]刘汝萍,夏冠群,赵建龙,吴剑萍,詹琰.不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究[J]固体电子学研究与进展.2001,(04)
[2]刘汝萍,赵建龙,夏冠群,吴剑萍,顾成余,詹琰.背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响[J]半导体学报.1999,(12)
[3]吴剑萍,夏冠群,赵建龙,刘汝萍.GaAs IC阈值电压均匀性的计算机模拟分析[J]电子学报.1999,(05)
更多