王其闵
【姓名】 王其闵
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;金属学及金属工艺;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 碳原子,内耗,MOS结构,HCl氧化,自掺杂,Ni合金,室温机械性能,带电态,铁-镍合金,面心,稀土金属,化效率,淬火温度,钛合金,SOS膜,沾污量,合金,稀土元素,薄外延,镍合金,陷阱深度,延伸率,...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
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[1]王其闵,何广兴,叶荣,陈沛然.高强度Mg-Zn-Y-Zr合金板材的研究[J]金属学报.1982,(03)
[2]陆德仁,王缨,王其闵.HCl氧化物MOS结构中钠离子的钝化[J]半导体学报.1983,(03)
[3]黄绳溥;王乃粒;王其闵;.钛—铝—锆—锡四元合金相平衡图1000℃等温截面之研究[J]上海金属.有色分册.1983,(03)
[4]蔡希介,陈庆贵,史日华,王其闵.透射干涉法测量蓝宝石上薄外延硅层的厚度[J]应用科学学报.1984,(02)
[5]陈庆贵,蔡希介,史日华,王其闵,陆东元.SOS膜的铝自掺杂剖面[J]半导体学报.1984,(06)
[6]王乃粒,王其闵.镧和铈对Ti—13V—11Cr—3Al钛合金组织和机械性能的影响[J]稀土.1984,(02)
[7]李月珍,沈金媛,任宁,王其闵.78K红外吸收法测定硅中氧含量[J]应用科学学报.1985,(02)
[8]章熙康,王缨,白国仁,江绵恒,王其闵.氧对a-Si:H光诱导效应的影响[J]电子学报.1985,(02)
[9]章熙康,顾隆道,王其闵.硅的气相淀积的滞流层效应[J]中国科学(B辑 化学 生物学 农学 医学 地学).1985,(11)
[10]王其闵,谢成刚.面心合金中碳内耗峰的MV-CC原子团模型[J]中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学).1986,(11)
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