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[2]吴宗焱,沈月华,叶雅谷,祁明维,白国仁.a-Si:H中磷掺杂机理的探讨[J]半导体学报.1984,(01)
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[3]白国仁,祁明维,谢雷鸣,施天生.氢气区熔硅单晶中硅-氢红外吸收峰的新的实验研究[J]红外研究.1984,(04)
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[4]施天生,谢雷鸣,白国仁,祁明维.氢气区熔硅单晶中两个硅-氢红外强吸收峰(2210、1946 cm~(-1))的本质[J]红外研究.1984,(04)
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[8]白国仁,周建坤,陈建民,施天生,祁明维,谢雷鸣.含氢硅单晶2210cm~(-1)红外吸收峰本质的理论研究——Ⅰ.振子频率的价键力场计算[J]中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学).1987,(11)
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[9]白国仁,周健坤,陈建民,施天生,祁明维,谢雷鸣.含氢硅单晶2210cm~(-1)红外吸收峰本质的理论研究——Ⅱ.振子强度及振动势函数的MNDO计算[J]中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学).1987,(12)
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[10]祁明维,施天生,蔡培新,白国仁,谢雷呜,高集金,李石岭.中子辐照含氢硅单晶低温Si—H吸收峰的研究[J]红外研究(A辑).1987,(05)
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