牟盘健
【姓名】 牟盘健
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 InP晶体,InP单晶,磷化铟单晶,补偿比,有效分配系数,位错密度,位错,单晶,杂质效应,载流子浓度,无位错,晶体,生长轴,腐蚀坑,电学性质,冶金研究,成晶,单键,孪晶,掺杂In,
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
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[1]方敦辅,王祥熙,徐涌泉,缪涵英,牟盘健.掺硫低位错磷化铟单晶生长和性质[J]应用科学学报.1983,(03)
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