蒋玉兰
【姓名】 蒋玉兰
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaSb单晶,补偿度,水平法,外延层,拉晶,底表面,GaAs,生长条件,单晶,直拉法,回熔,补偿比,烘烤时间,籽晶,成晶,电学性质,GaAS,盖片,冶金研究,石英舟,涂碳,表面电阻,引晶,组分过冷,受...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
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[1]施惠英,余海生,任尧成,蒋玉兰,孙秋霞,胡建.LPE GaAs生长条件对外延层补偿度的影响[J]稀有金属.1985,(01)
[2]余海生,蒋玉兰,胡建,廖丽英.水平法生长GaSb单晶的研究[J]固体电子学研究与进展.1991,(02)
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