胡嘉增
【姓名】 胡嘉增
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;自动化技术;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 溅射,光退火,背散射,倾斜传感器,砷注入,数据处理系统,沟道,冲激,热退火,移位原子,电液,低能离子,电解液,原子,传感器,角分布,表面损伤,冶金研究,损伤层,桥路,道数,角秒,能谱图,分时控制,平均...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]曹德新,朱德彰,周祖尧,胡嘉增,戴仁之,邹世昌.砷注入硅背散射沟道研究[J]核技术.1981,(04)
[2]周祖尧,任琮欣,陈国明,胡嘉增,杨洁,傅新定,邹世昌,朱德彰,曹德新.低能离子溅射引起表面损伤的研究[J]核技术.1986,(07)
[3]戴仁慈,李生强,胡嘉增,胡丽芝,唐英玉,林冰贞.用溅射法制备薄层 Al_2O_3气相色谱柱固定相的研究[J]燃料化学学报.1988,(04)
[4]戴仁慈,李生强,胡嘉增,林绵中,陆荣庆.电解液式倾斜传感器及其数据处理系统[J]应用科学学报.1989,(04)
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