方芳
【姓名】 方芳
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 激光再结晶,CMOS/SOI器件,多晶硅,多晶硅薄膜,Ar~+激光,再结晶,氢退火,临界功率,欧姆接触,热退火,三维集成电路,离子束混合,比接触电阻率,石墨舟,预热温度,掺杂浓度,激光退火,Ti扩散,...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]林成鲁,沈宗雍,方芳,林梓鑫,邹世昌.多晶硅薄膜的Ar~+激光再结晶[J]中国激光.1985,(12)
[2]沈宗雍,林成鲁,方芳,邹世昌.激光再结晶CMOS/SOI器件[J]科学通报.1985,(16)
[3]方芳,林成鲁,沈宗雍,邹世昌.激光再结晶和氢退火对多晶硅电学性质的影响[J]电子科学学刊.1986,(01)
[4]冷静民,钱佑华,林成鲁,方芳.绝缘层上半导体多晶膜激光再结晶临界条件[J]物理学报.1987,(08)
[5]冷静民,钱佑华,林成鲁,方芳.SOI结构激光再结晶薄层中应力的喇曼光谱研究[J]红外研究(A辑).1987,(03)
[6]方芳,S.S.Lau.Si/Pd/GaAs欧姆接触的激光退火[J]中国激光.1990,(S1)
[7]方芳,L.C.Wang,S.S.Lau.Ti扩散势垒对Al/Si/Pd与n-GaAs欧姆接触热稳定性的影响[J]电子学报.1990,(05)
[8]方芳,S.S.Lau.硅-金刚石系统的离子束混合和欧姆接触[J]半导体学报.1990,(06)
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