我的机构馆
退出
数字图书馆首页
CNKI首页
浏览器下载
帮助
方芳
【姓名】
方芳
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
激光再结晶,CMOS/SOI器件,多晶硅,多晶硅薄膜,Ar~+激光,再结晶,氢退火,临界功率,欧姆接触,热退火,三维集成电路,离子束混合,比接触电阻率,石墨舟,预热温度,掺杂浓度,激光退火,Ti扩散,...
【工作单位】
中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】
中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
上海
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
0
/
8
0
0
4
6
242
文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到8篇
[1]林成鲁,沈宗雍,方芳,林梓鑫,邹世昌.
多晶硅薄膜的Ar~+激光再结晶
[J]中国激光.1985,(12)
[2]沈宗雍,林成鲁,方芳,邹世昌.
激光再结晶CMOS/SOI器件
[J]科学通报.1985,(16)
[3]方芳,林成鲁,沈宗雍,邹世昌.
激光再结晶和氢退火对多晶硅电学性质的影响
[J]电子科学学刊.1986,(01)
[4]冷静民,钱佑华,林成鲁,方芳.
绝缘层上半导体多晶膜激光再结晶临界条件
[J]物理学报.1987,(08)
[5]冷静民,钱佑华,林成鲁,方芳.
SOI结构激光再结晶薄层中应力的喇曼光谱研究
[J]红外研究(A辑).1987,(03)
[6]方芳,S.S.Lau.
Si/Pd/GaAs欧姆接触的激光退火
[J]中国激光.1990,(S1)
[7]方芳,L.C.Wang,S.S.Lau.
Ti扩散势垒对Al/Si/Pd与n-GaAs欧姆接触热稳定性的影响
[J]电子学报.1990,(05)
[8]方芳,S.S.Lau.
硅-金刚石系统的离子束混合和欧姆接触
[J]半导体学报.1990,(06)
更多
研究方向相近的学者
(学者,学者单位)
冷静民
复旦大学
尹金妹
南京大学
杨景铭
清华大学
王红卫
清华大学
栾洪发
清华大学
谭松生
中国科学院上海冶金研究所
邢昆山
中国科学院上海冶金研究所
朱青
中国科学院上海冶金研究所
许学敏
中国科学院上海冶金研究所
更多
合作过的学者
(学者,学者单位,篇数)
林梓鑫
中国科学院上海冶金研究所
1
林成鲁
中国科学院上海冶金研究所
4
邹世昌
中国科学院上海冶金研究所
3
沈宗雍
中国科学院上海冶金研究所
3
钱佑华
复旦大学
1
冷静民
复旦大学
1
S.S.Lau
California大学
3
L.C.Wang
California大学
1
更多
该学者文献引用过的学者
(学者,学者单位,篇数)
王渭源
中国科学院上海冶金研究所
1
林成鲁
中国科学院上海冶金研究所
2
邹世昌
中国科学院上海冶金研究所
2
夏冠群
中国科学院上海冶金研究所
1
薛自
上海无线电十四厂
1
沈宗雍
中国科学院上海冶金研究所
1
更多
引用过该学者文献的学者
(学者,学者单位,篇数)
林成鲁
中国科学院上海冶金研究所
3
冷静民
复旦大学
1
钱佑华
复旦大学
1
邢昆山
中国科学院上海冶金研究所
1
更多