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[2]周炳林,陈正秀.关于GaAs的低迁移率问题[J]物理学报.1985,(04)
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[3]周炳林,陈正秀.半绝缘GaAs中的深能级[J]半导体学报.1985,(01)
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[4]周炳林,吴征,陈正秀,胡冰华.不掺杂半绝缘GaAs的补偿机制[J]红外研究(A辑).1988,(02)
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[5]任琮欣,陈国梁,郑彦,陈建民,杨洁,汪乐,陈正秀,柳襄怀,谢雷鸣,邹世昌.反应离子束镀膜制备高T_cY-Ba-Cu-O超导薄膜[J]科学通报.1989,(09)
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[6]胡雨生,汪乐,陈正秀.电子辐照N型LPE-GaAs层中复合中心能级的研究[J]半导体学报.1990,(12)
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[7]郑彦,任琮欣,陈国梁,陈建民,杨洁,汪乐,陈正秀,柳襄怀,谢雷鸣,邹世昌.退火条件对Y-Ba-Cu-O薄膜超导性能的影响[J]无机材料学报.1990,(03)
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[8]陈国樑,任琮欣,陈建民,杨絜,李贻杰,陈正秀,汪乐,谢雷鸣,邹世昌.离子束溅射沉积制备高J_cYBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜[J]低温物理学报.1991,(01)
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[9]任琮欣,陈国樑,李贻杰,陈建民,杨絜,张骥华,陈业新,陈正秀,汪乐,邹世昌.半熔融烧结靶直流磁控溅射外延生长YBCO超导薄膜[J]低温物理学报.1992,(01)
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