蔡希介
【姓名】 蔡希介
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 自掺杂,SOS膜,薄外延,硅烷,硅层,射干,光试样,蓝宝石,外延,外延层,薄层,外延膜,干涉级数,过渡层厚度,蓝宝石衬底,结晶质量,固相外延,两步退火,不锈钢,外延硅,四氯化硅,过渡层,兰宝石,反射测...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
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[1]陈庆贵,宋志庆,史日华,蔡希介.用于硅烷掺杂薄层外延的不锈钢装置及其应用[J]半导体技术.1984,(05)
[2]蔡希介,陈庆贵,史日华,王其闵.透射干涉法测量蓝宝石上薄外延硅层的厚度[J]应用科学学报.1984,(02)
[3]陈庆贵,蔡希介,史日华,王其闵,陆东元.SOS膜的铝自掺杂剖面[J]半导体学报.1984,(06)
[4]陈庆贵;宋志庆;史日华;蔡希介;.硅烷掺杂的薄层外延不锈钢外延设备[J]仪器制造.1984,(03)
[5]陈庆贵,孙克怡,蔡希介,史日华.SOS膜横断面的电子显微镜研究[J]半导体技术.1985,(05)
[6]陈庆贵,史日华,蔡希介,武蕴忠,孙成龙,潘尧令.一种提高SOS膜结晶质量的新途径[J]应用科学学报.1985,(03)
[7]苏千武;蔡希介;苏祖兴;宋志庆;.高阻材料霍尔效应测试法探讨[J]仪器制造.1985,(01)
[8]罗朝渭,乔墉,陈庆贵,蔡希介,史日华.Si~+注入SOS中退火固相外延再生长改善结晶质量[J]固体电子学研究与进展.1986,(01)
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