祝向荣
【姓名】 祝向荣
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氮化镓,湿法刻蚀,小坑,原子力显微镜,位错密度,分子束外延,X射线衍射分析,光辅助,KOH溶液,位错,晶体质量,图谱,三轴图,MBE生长,上海微系统与信息技术研究所,氮化镓晶体,生长工艺,密度,表面形...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 上海
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[1]田招兵;张永刚;顾溢;祝向荣;郑燕兰;.InGaAs/InP光伏探测器阵列钝化工艺及均匀性研究[J]半导体光电.2008,(01)
[2]赵智彪,李伟,祝向荣,齐鸣,李爱珍.氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算[J]固体电子学研究与进展.2002,(02)
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